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Memoria RAM Kingston DDR5, 4800MHz, 8GB (1 x 8GB), CL40, SO-DIMM - KVR48S40BS6-8
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Memoria RAM Kingston DDR5, 4800MHz, 8GB (1 x 8GB), CL40, SO-DIMM – KVR48S40BS6-8

Código Trescom: CH402KVR82-trescom
Disponibilidad:

Sin existencias

Precio contado: Q296.10

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Kingston ValueRAM – DDR5 – módulo – 8 GB – SO DIMM de 262 contactos – 4800 MHz / PC5-38400 – CL40 – 1.1 V – sin búfer – on-die ECC – para Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit – NUC13RNGi9
MPN: KVR48S40BS6-8

Memoria RAM / Tipo de producto: Módulo de memoria
Memoria RAM / Capacidad de almacenamiento: 8 GB
Memoria RAM / Registrada o buffered: Sin búfer
Memoria RAM / Conforme a la especificación de memoria: PC5-38400
Memoria RAM / Latencia CAS: CL40
Encabezamiento / Cantidad empaquetada: 1
Encabezamiento / Fabricante: Kingston
Encabezamiento / Marca: Kingston
Encabezamiento / Gama de productos: Kingston ValueRAM
Memoria RAM / Velocidad de memoria: 4800 MHz
Servicio y mantenimiento / Tipo: Garantía limitada de por vida
Memoria RAM / Tipo de actualización: Genérica
Memoria RAM / Factor de forma: SO DIMM de 262 contactos
Memoria RAM / Comprobación integridad datos: On-die ECC
Memoria RAM / Tipo: DRAM
Memoria RAM / Tecnología: DDR5 SDRAM

SKU: CH402KVR82-trescom Categorías: , , ,
Marcas

Especificaciones

Peso y dimensiones
Altura 30 mm
Ancho 69.6 mm
Detalles técnicos
Sustainability certificates RoHS
Memoria
Latencia CAS 40
Placa de plomo Oro
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Componente para Computadora portátil
Voltaje de memoria 1.1 V
Tiempo activo en fila 32 ns
Buffered memory type Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna DDR5
Memoria interna 8 GB
Clasificación de memoria 1
Velocidad de memoria del reloj 4800 MHz
ECC No
Programming power voltage (VPP) 1.8 V
Tiempo de ciclo de fila 48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 295 ns
Otras características
Código de Sistema de Armonización (SA) 84733020
Factor de forma 262-pin SO-DIMM
Diseño
JEDEC standard Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 – 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 – 100 °C
Características
On-Die ECC Si

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